烧结是PTFE绕包带工艺中最关键的环节。没有经过烧结的绕包层只是一层物理包裹的薄膜，经过高温烧结后，多层薄膜熔融粘合，形成致密的绝缘整体。但烧结温度的选择，行业内存在一个从350℃到650℃的宽泛区间。

常规烧结温度在350℃至380℃之间。PTFE的结晶熔点为327℃，超过这个温度后PTFE开始熔融。350℃至380℃的烧结温度可以保证PTFE层间充分熔融，同时不会导致材料分解。这个温度区间适用于大多数电缆的PTFE绕包绝缘烧结，线速和温度需要配合调整，绝缘层越厚，线速应越低。

但有些专利方案采用了更高温度的烧结工艺。一项航空航天用高速传输总线电缆的专利中，PTFE绕包绝缘单线通过四箱连体烧结炉，温度设定为650℃，速度为1m/min。这种高温烧结的优势是提高烧结效率，同时加快表面融合，在四氟乙烯未分解前形成密实整体。烧结后的低密度PTFE材料经过分子结构重新排序，拉伸强度可达495MPa。

350℃和650℃之间的温度差异，反映的是两种不同的烧结思路。低温烧结（350℃至380℃）更加稳妥，材料分解风险低，适合大多数常规电缆产品。高温烧结（600℃以上）追求的是烧结效率和致密性，但对温度控制精度要求极高——PTFE在400℃以上开始有分解风险，温度稍有偏差就可能导致材料性能下降。

对于高速线PTFE绕包带而言，烧结工艺的选择还需要考虑一个额外因素：低密度PTFE的收缩特性。低密度PTFE内部为短纤维组织，高温烧结时这些纤维会不同程度地收缩。如果烧结温度过高或升温过快，收缩不均匀可能导致绝缘层开裂。因此，高速线用低密度PTFE绕包带的烧结，更倾向于采用分段升温的保守工艺。